jeel54321 wrote:
準備用舉國之力玩記...(恕刪)
Yes!
NQQegg wrote:
從EE Times...(恕刪)
請教7奈米DUV和EUV製程差在哪裡?
否則三星何以搶回高通訂單?
為何高通7nm 5G晶片由三星代工而不是台積電？兩家工藝究竟哪家好？
原文網址：
https://kknews.cc/digital/ypn69va.html
ambitiously wrote:
請教7奈米DUV和EUV...(恕刪)
天那
這講來話頭長...
曝光的光源與用途..
目前用的是193nm的波長
理論線寬達不到7nm, 連28nm也不到, 在65nm就做不下去 (本帖就不貼公式了)
下一代的光源,主要是157nm波長的雷射光源的波長進入了玻璃的吸收光譜中
所以透鏡要全部改材質出了大問題
所以157nm難產
TSMC的林本堅想到用水當媒介
193nm的波長進入水中波長變短就搞定了
這叫做浸潤式製程(immersion lithography)
就一路往下做了
但是
線寬越小會有繞射問題
所以會有幾種方案提出來
現在是雙重曝光比較常在用
double patterning的概念(其實超複雜,有很多種設計)
但是
線寬到了7nm
雙重曝光又不夠了
那就是四重曝光 Quad-patterning
製程在微影製程變成太複雜
做得好的又只有Intel/TSMC/三星
TSMC當然良率屌打三星
為了降低複雜度
EUV登場
因為波長夠短13.5遠小於193nm
但是以前的光源是面曝光
但電子束微影不是面曝光
當然效率慢
目前的問題出在於
晶圓廠的要求是125 wph (wafer per hour)
但ASML"號稱"做到 (NXE3400B)
但沒講光源要有250W
這幾十年來花了幾十億美金的燒
還拉Intel/Tsmc/三星出資
"據說"
ASML的3400B下一代就可以達到了這兩個標準(250W, 125wph)
ASML與ZEISS合作光學部分,光源問題買下Cymer
不過Cymer的solution好像也沒有到250W?
不知ASML怎麼做得到???小弟也不知道..
路邊社聽聽就好
然後呢
甚麼都說明年,然後再明年
那還不要做生意呀?
大家的手機要跑分高年年要進步怎麼辦?
當然是浸潤式曝光
雙重變成四重慢慢玩
然後TSMC又拿得出良率屌打三星
三星不玩只能放棄市場給TSMC獨拿
趕快練EUV...
但TSMC有兩套製程
浸潤式與四重曝光與EUV
如果EUV趕得上就用
趕得上就用傳統的浸潤式
反正三星也做不出來
一年兩千多億台幣的訂單三星沒本事拿...
今年TSMC有兩千多億的 Apple的單
明年應不會比這少
等到EUV可以導入三星才有單
良率還未必贏TSMC耶
這兩年的四千多億台幣訂單TSMC油洗洗
每年一百多億美金的設備支出,從Apple賺到的錢來攤可以攤不少...
不過現在礦機的需求大
前文有說了
TSMC做的耗工低,單一直往TSMC流
讓北京的專案負責人營業額貢獻度排很高
這個題目真的很大
只能這樣概略的說...
聽不懂是正常的...
這可是最先進的製程哪會這麼簡單,有些資料也拿不到
雖屬路邊社雜談,路邊社消息不一定準
但以上屬於本人智慧財產權
轉貼要有本人同意,否則必究,要付權利金 (拿的到才有鬼)
健人就是腳勤
MPV5233 wrote:
其實最奇怪的是金屬...(恕刪)
Cost-down?
有那麼誇張？
https://technews.tw/2017/06/15/tsmc-mram-rram/
【拓墣觀點】新世代記憶體是何方神聖，讓英特爾、三星、台積電紛紛投入一較高下
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