今年不知會不會有不同
已經賣到剩幾張了
再接回來的時機 ? 就等A大發文關注時再來看看
媒體報導，三星電子決定擴增在中國西安廠的新增3D NAND快閃記憶體產線，目標是在2019年投產，以因應市場對記憶晶片的火熱需求。計劃投資高達10兆韓元（89.3億美元）。
南韓前鋒報報導，消息人士29日透露，三星正與西安當局商談擴產事宜，計劃投資多達10兆韓元（89.3億美元）。
路透報導，三星發言人已證實考慮擴大西安廠產能，但細節未定。
消息人士說：「三星與當地政府正進行協商最後階段。很可能在9月動工。」三星西安廠現有第一產線是在2014年興建，月產12萬片NAND記憶體晶圓，若加上規劃中的第二產線，產量將達20萬片。
三星為全球最大記憶體晶片製造商，NAND記憶體晶片用於智慧手機、個人電腦與數據服務的高階資料存取。隨著物聯網、雲端與巨量資料服務近來對NAND晶片需求激增，SK海力士與美光等較小的競爭同業加速生產，三星打算強化產業龍頭地位。
三星原本已於西安廠投資70億美元生產NAND，現在計劃讓位於南韓京畿道平澤市的全新NAND晶片廠自6月啟動營運，月產能可達20萬片。
三星陸廠將生產較低階晶片，多數供應中國手機市場，而韓廠將專注於生產高階晶片。
研調機構IHS預期今年記憶體產業營收將躍增32%至創紀錄的1,040億美元。產業主管與分析師預估，3D NAND供應商今年產量可能難以滿足客戶訂單。
大家怎麼解讀?
mountain821 wrote:
三星砸89億美元 ...(恕刪)
三星洗洗睡，
東芝美光群聯衝
【時報記者施蒔穎台北報導】NAND Flash控制晶片暨模組廠群聯(8299)於今(31)日2017年台北國際電腦展(COMPUTEX)上宣布，將展出一系列業界領先的SSD、USB、SD、及UFS控制晶片IC及儲存解決方案。群聯表示，今年下半年的主軸將全力啟動新一代的3D NAND支援的NAND Flash控制晶片系列產品並導入量產，將加速啟動PCIe取代SATA扮演SSD(固態硬碟)的主流規格。
群聯積極發展次世代技術，與長期合作的NAND Flash國際製造大廠，包括有東芝(Toshiba)及美光(Micron)在新一代的3D NAND技術上攜手同步前進。依據目前的工程測試資料顯示，新一代的3D NAND快閃記憶體技術與目前的主流2D NAND製程相較，再透過群聯獨有的控制晶片兼韌體設計，在可靠度上不僅僅增加8倍，在資訊傳輸的速度上更可以提升高達4倍，並有效降低20%的功率，達到節能效益。事實上，新一代的3D NAND對於PCIe儲存方案提供了更多的優勢效能。
群聯今年正式推出新一代的3D NAND搭配PCIe儲存方案PS5008系列產品，將加速啟動PCIe取代SATA扮演SSD(固態硬碟)的主流規格。PS5008系列產品包括有PS5008-E8、以及PS5008-E8T兩項控制晶片產品，其規格皆能提供M.2 2280或BGA SSD等小型儲存外觀設計，且更能同時滿足主流市場的效能需求。同時，PS5008系列產品能在滿足高效能、高容量之際，也達到低功耗、低發熱等優質特性，另可搭配目前最高階BGA 1113封裝技術，以達到小型外觀設計運用於多項的終端儲存裝置上。
群聯技術長馬中迅指出：「東芝及美光的新一代3D NAND技術，不僅讓群聯電子能提供給客戶夥伴在行動裝置應用上更節能的儲存解決方案，更能延伸使用於企業伺服器應用的企業級儲存產品壽命，這將是儲存領域的一項重大突破。」
美光儲存解決方案行銷副總裁Eric Endebrock表示：「今日科技充斥著海量資訊，引領系統設計者得執行更高端的行動運算力，這也帶動超大型資料數據中心的與日俱增。美光具備多項前瞻性的記憶體技術正符合時下科技發展趨勢所需之效能，而目前最尖端的3D NAND解決方案，將正式助力群聯電子導入全系列的產品，利用更高速的性能和容量，創造出更多卓越的的快閃記憶體解決方案。」
只能全力支持潘神了
【財訊快報／李純君報導】快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠商群聯( 8299 )於今(1)日2017年台北國際電腦展(COMPUTEX)上發表最新eMMC(embedded Multi Media Card；內嵌式多媒體記憶卡)解決方案PS8226。
群聯介紹，該晶片支援今年Flash廠陸續開出的3D TLC NAND製程，並符合最新eMMC 5.1規範，隨著智慧型手機市場將進入旺季，PS8226一推出可望陸續搶下國際智慧型手機大廠首選，為群聯在eMMC市場提升占有率增添新動能。
儘管今年上半年智慧型手機市場表現呈現傳統淡季，但隨著超高畫質的影音儲存需求強勁，智慧型手機的內嵌式記憶容量需求仍持續提升，尤其是國際手機大廠預計在下半年推出新機，將挑起智慧型手機各陣營新機的機海戰，在眾品牌新機齊發效應下，目前亦已俏俏推動eMMC/eMCP 進入旺季。
群聯eMMC/eMCP相關控制晶片產品繼PS8225成功打入多家大陸一線智慧型手機品牌供應鏈後，因應市場對3D NAND強勁需求，再推出最新PS8226擴大市場版圖，也為次世代規格UFS(Universal Flash Storage；通用快閃記憶體卡)搶先卡位布局。
PS8226控制晶片以StrongECC錯誤修正技術，支援多家Flash大廠最新製程的3D TLC NAND，另透過電源區塊的優化與嶄新的硬體架構，功耗大幅下降50%且隨機讀寫速度較上一代2D NAND eMMC提升兩倍，另搭配無需額外被動元件的設計，大幅降低了客戶的製造成本，為目前市場上eMMC/eMCP行動記憶體主要解決方案。
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