vul34622 wrote:
長鑫存儲 (...(恕刪)
奇夢達的dram是溝渠式技術,現行的dram都是堆疊式,講白了中國的記憶體技術全部都是偷也剛好而已。買奇夢達的技術根本是買爽騙法官
這項技術與傳統設計的差別，不僅是工程上的改變，更是**「投資獲利能力」**的關鍵分水嶺。以下我透過架構圖與產業邏輯，為您拆解其核心價值：
1. 「埋入式閘極 (bWL)」與「傳統堆疊式」的架構差別
傳統的 DRAM 是把開關（電晶體）放在矽表面，這在微縮到 40 奈米以下時會遇到極大挑戰。
傳統平面式 (Planar Wordline)：
結構： 字線（Wordline）凸出在矽表面。
缺點： 當電線越靠越近，會產生嚴重的寄生電容，導致漏電與訊號干擾。此外，表面空間有限，放了開關就難放電容。
埋入式閘極 (Buried Wordline)：
結構： 像挖地基一樣，把字線「埋入」矽基板內部的溝槽。
優點： 表面平整化，讓上方的位元線（Bitline）與電容器有更多空間擴張。這讓晶粒面積縮小了 30%~40%，同一片晶圓能切出更多顆晶片（Gross Dies）。
2. 為何說它是長鑫存儲 (CXMT) 的救命草？
長鑫存儲當年進步神速，正是因為他們避開了「技術選錯邊」的歷史大坑：
專利正統性： 長鑫買下了奇夢達 1,000 萬份技術文件，直接繼承了這套「埋入式閘極」的成熟方案。這讓長鑫在 2019 年量產時，直接跳過摸索期，進入 19nm / 17nm 的戰場。
HBM 的基石： 現代高頻寬記憶體 (HBM) 需要垂直堆疊。由於 bWL 讓晶片表面極其平整，這對於在晶片上鑽數千個 TSV (矽穿孔) 進行堆疊非常有幫助。
📊 投資觀點：BWL vs. 堆疊式技術
在 DRAM 的世界，「堆疊」是指電容器的處理，而「埋入」是指開關的處理。目前的勝出者是：「埋入式開關 + 堆疊式電容」。
比較項目 奇夢達舊路 (溝槽電容) 長鑫/主流路徑 (BWL + 堆疊) 投資意義
電容位置 挖洞埋在地底下 像蓋樓往上疊 (Stack) 堆疊式更容易量產且良率穩定。
開關位置 矽表面 埋入矽基板 (BWL) 埋入式能顯著降低漏電，延長資料保存。
微縮極限 58nm 就倒下 10nm 級別 (1A/1B/1C) 長鑫存儲 因此具備挑戰一線廠的本益比。
投資結論： 長鑫存儲掌握的這項專利，讓他在 2026 年 IPO 時不僅是「中國國產化」題材，更有「全球先進製程」的硬實力。
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應該是說 德國巨頭 西門子 旗下有英飛凌 和奇夢達
奇夢達 搞溝槽式 70奈米以下行不通了 奇夢達 2009 年的金融海嘯與技術轉型期，但它留下的 「埋入式閘極 (Buried Wordline, bWL)」 確實成為了 DRAM 工業續命 20 年的核心遺產。 就像 德國 飛彈 剛搞成 就戰敗 奇夢達找到新方法 敗在金融海嘯 三星狼性擴廠 被迫破產 紐約下市
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目前應該是 互有專利 德國是原始技術
德國西門子技轉 高鐵給中國 心想你能嗎 將來要求我 結果也搞成了 有趣
以下是為您整理的官司勝負與現況分析：
1. 長鑫存儲 vs. 美光 (Micron)：從「敵對」到「止戰」
這是目前長鑫最成功的法律戰略。
歷史官司： 早期美光曾威脅起訴長鑫侵犯其 DRAM 底層專利。
勝負結果： 目前處於「停火狀態」。 * 長鑫採取了「防禦性收購」，買下了 Rambus 與 Wi-LAN 的大量專利授權，這兩家公司的專利正是美光的剋星。
2023 年底，美光因「安全審查」在中國被禁後，為了重回市場，美光與中國政府及相關廠商（包括長鑫、長江存儲）達成了某種程度的默契，減少了主動的法律攻擊。
現況： 雙方目前並無進行中的大規模專利訴訟，長鑫透過「交叉授權」成功為自己買到了研發的空間。
2. 長鑫存儲 vs. 三星 (Samsung)：從「挖角」到「刑事起訴」
這部分的火藥味比美光更重，且焦點不在「專利」，而在**「人才洩密」**。
衝突核心： 2024 年至 2025 年底，南韓檢察官多次起訴多名三星前工程師，指控他們將三星 10 奈米級 DRAM 的「製程食譜」 以手寫筆記或數位方式攜帶至長鑫存儲。
勝負結果： 長鑫在技術上「贏了時間」，但在法律上「背負風險」。
技術面： 透過這類人才，長鑫成功將 10 奈米級 DRAM 的研發週期縮短了 2 年以上，並在 2025 年量產 HBM2/3。
法律面： 南韓政府已將此列為「國家安全事件」。雖然三星很難直接在大陸告倒長鑫，但三星正透過美國商務部施壓，試圖將長鑫列入更嚴格的制裁名單。
3. 長江存儲 (YMTC) 的「反擊效應」帶動長鑫
值得注意的是，長鑫的兄弟公司「長江存儲」在 2025 年底主動起訴美光侵權（3D NAND 技術），且在 2025 年 12 月獲得重大進展：美國法院要求美光公開原始碼供比對。 這場勝利給了長鑫很大的底氣：中國廠現在已有足夠的專利「反過來」威脅美系大廠。
📊 專利與官司實力對比 (2026 初)
對象 糾紛類型 目前勝負手 對長鑫的影響
美光 基礎 DRAM 結構 和解/停火 長鑫成功出海（外銷）的機率大增。
三星 10nm 製程洩密 法律審理中 (韓方起訴) 長鑫需面臨更嚴苛的人才監管與設備禁令。
自身實力 奇夢達遺產 完全合法化 長鑫已擁有超過 1.8 萬件專利，具備「專利護城河」。
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