從也是這產業的技術人員來說，
這突破是有點驚人，更應該說是背後的意義！換句話說，幾年後他真正的EUV很可能會做得出來且緊張的是ASML！
因他是用相同於EUV的概念去做DUV（為何這很驚人？）
實際大陸早已能做出可量產的DUV，ARF/KRF，但限於專利，做拿去賣或量產都會被告且重罰,所以他量產機只停在365nm.
（之前在大陸就已經聽上海微提有做出且能測試,只是不能賣）
傳統DUV包含更往前光源做法全都是汞燈為源，靠鍍膜濾鏡把其他頻譜光擋掉而只有特定光能穿越（所以關鍵跟專利都在鍍層材料-材料要分析出成分其實很容易，只會在鍍層厚度均勻性..上技術差異，就像大立光跟其他的差異），
而他會這樣做純因汞燈+濾鏡已確認193後下不去（因ASML 改EUV做法），就轉激發式光源!
所以他開始用相同模式去測試其他氣體激發繞過鍍層專利！
剩下就是聽到的能量，其他還有光源能量輸出穩定性與過熱問題，但那塊改法ASML走過且大陸有靠當初台積過去那位拿到一台EUV，要仿造提能量與散熱就不會難. 但開始找其他光源激發，甚至是開始找混合氣體激發（雖理論上這做法能量輸出穩定性較易有問題）！
但已開始做相同做法且初步模式=整個*架構*算成功，代表已經有設備能測試那塊，剩下就是將來真正的氣體用何？與誰先找出EUV下一代的氣體並申請專利，畢竟EUV再往下，一樣會是相同模式，但需再改其他氣體.
已有人做出=有模式能套用（能量提高，散熱..），反推測他的真正目的根本不在做出可量產的DUV（因DUV能直接買）,實際應是在找各特定頻譜激發源，與EUV更下一代的氣體激發源！
至於3nm的理論說法，只是在指精度誤差極限與實驗室最低，但實際量產應不行！
如華為中芯的7nm就4重，台積在沒EUV前也是用多重，因193+浸潤單次最小只能20出nm，再往下全都是多重，每多一次可當能縮1/2而產能也至少砍半！越多除誤差良率風險越大，曝光機與配套產能也等比下降，生產週期也越長，那一段成本也等比增加，尚不提晶圓廠空間有限！
So...重點完全不在DUV而是已做出那種架構的設備雛形！
乾 DUV 得出來 .
浸潤 DUV 也出來 .
不過 EUV ??
EUV 太難做了
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