沒有日積月累努力不懈是很難達成。連號稱有外星人技術的intel也快被超車了。感覺台GG最大問題大概就只有接班，也是所有歷史上盛世都無法避免的問題。
dongmark wrote:
目前掌握了晶元製造核...(恕刪)
我還真無聊~
半導體製程中的線寬
一般來說是最小線寬critical dimension (CD)
半導體製程的線寬,甚至封裝,電路板,顯示器產業的array, CF段都需要用微影製程(Photolithography)
微影在半導體製程上現在都用stepper
因線寬小會有繞射現象
stepper中會有透鏡可以改善繞射現象
所以透鏡的設計就很重要
透鏡一般看數值孔徑NA值
最小線寬看的是微影的解析度
改善解析度的方法有三種
最有效的方法就是降低光源的波長...
而微影的光源能做到的CD大概如下圖所示:
光源ArF的波長為193nm,大約只能做到130nm就下不去了
接下來是F2雷射產生的157nm波長接手
然後出現大災難了~
半導體製程常用的SiO2會吸收UV光(波長小於180nm)
但是157nm波長的透鏡只能用silica材質,吸UV光拿還得了
然後種種的方法讓此製程一直難產...
(想當年ASML在台北舉行的157nm曝光機的說明會我還有去參加耶~)
難到半導體製程就死在這個節點上嗎???
台積電的林本堅想到193nm波長在水中因折射係數的影響可以降低波長
衝破晶圓製造瓶頸的一滴水
開啟了immersion lithography世代
然後再利用
double patterning
quad patterning
讓台積電不用157nm直接殺到7nm的節點~
林本堅真是台灣之光~
接下來是EUV的進展
去年的roadmap
其實台積電在10nm世代有買4台EUV
2台 NXE: 3300B, 2台NXE:3350B
去年時預估今年可以用EUV技術達到1500片
但是問題來了
台積電2015年就必需把10nm製程 tape-out, 2016年試產
那等的及EUV
然後7nm要與三星比快
以台積電是龍頭老大要穩定良率要有產能
當然保守的用immersion lithography了
193nm波長真是千年老妖
居然可以撐這麼久~
5nm大概才是EUV的天下~
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