kevin721202 wrote:
電子束光刻機在半導體...(恕刪)
沒錯~
E-Beam Writer就只能做做光罩...
其實有唸過半導體製程或物理的人
在課本最後都會提到未來的展望
甚麼E-Beam Writer, 多重電子寫入,....
一些新技術早就不是甚麼新聞
只是都失敗
只有EUV生得出來...
半導體的微影技術其實這25年來一直都很坎坷的發展
很早就碰到瓶頸
193nm波長解析度碰到瓶頸
然後就發展157nm波長光源
當時的曝光機王者是Nikon/Canon
ASML當初還是剛從Philips分出的棄兒
TSMC剛開始也是小baby, 有Philips有股權與技術協助
廣義來說當初TSMC與ASML都是泛Philips技術體系
自然拉做堆
157nm波長曝光技術遇到瓶頸
當年我還在台大聽過技術演講...
157nm波長落入玻璃的紫外線吸收光譜
正常的玻璃透鏡不能用
然後Nikon就想出一堆方法如氟化鈣玻璃, 問題是溶於水不利打磨...
搞了很久
台積電的林本堅想出在水中曝光的歪點子
Nikon/Canon自然不會去理台灣小公司的歪理
TSMC就跟小公司同是Philips體系的ASML合作
研發出浸潤式immersion lithography橫空出世
解析度公式就多出一個水的折射率修正
後面就是ASML的舞台了...
延續193nm波長生命
157nm波長的光機開發案失敗
Nikon/Canon就被趕去做面板的曝光機了...
浸潤式曝光發明後
繼續微縮還是遇到瓶頸
然後就發明多重曝光續命
雙重曝光不行了
就拚四重曝光SAQP
然後TSMC拚老命把193nm波長的曝光機做出7nm製程的晶片
2019年7nm製程就被神山做出來了
2020年就是7nm EUV製程了
華為/中芯的7nm遙遙領先製程就是模仿TSMC在2019年的方法硬做
問題是當年TSMC的良率還可以
中芯就不行
其實問題出在台積電
只有台積電能做出別人做不到的良率...
我不是針對你,是所有人都是垃圾...
EUV開發在2020年讓TSMC順利推出7nm製程
問題是EUV的開發超級坎坷
從無到能量產賺錢花了40年
差一點讓ASML破產
拉Intel/TSMC/三星入股續命
中間TSMC與ASML合作改良EUV
才搞出3400系列的量產機
7nm EUV製程其實也出很多問題
EUV真的沒那麼容易
TSMC也更換主將
能量產良率高都是血淚
當然這些血淚造就寬廣的護城河
Intel/三星都吃鱉算正常
EUV搞定後
摩爾定律繼續微縮
EUV又不行了
然後就是兩種解決方案
High NA EUV與EUV多重曝光
以TSMC來說
等不及High NA EUV
內部當然用EUV練功多重曝光
所以TSMC才沒有搶先拿第一台的 High NA EUV
反正不是真正的量產機讓Intel去當冤大頭
TSMC要的是真正的High NA量產機
半導體製程製程要對抗現實生活的物理與化學定律
元素週期表的元素都翻爛了
都進展到原子級曝光/沉積/蝕刻
2030年後TSMC沒說的是
GAA之後的發展
因為不確定性太高
大概就是二維半導體製程的開發
連學術界IMEC與材料/設備供應商都還沒有形成共識
量產要怎麼做
畢竟TSMC是工廠
要做出產品拼的是量與良率
不確定的事情TSMC怎麼寫roadmap...@@
搞半導體的人一路走來
都是血淚....@@
(以上都是個人創作唬爛,要轉發請告知)
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對岸的小粉紅不懂半導體
以為有些"新"的技術就可以推翻現有半導體製程...
還有小粉紅吹華為要搞奈米壓印
其實這在25年前Canon就已經持續在搞
Canon有自己的晶圓廠,有自己的曝光機
產業鏈算完整
自家有實力提供測試
然後每隔幾年就宣稱有突破
然後就沒有了...
其實我很佩服Canon有毅力
25年來一直失敗都沒有放棄
再失敗下去第一批研發人員從菜鳥都要退休了...
奈米壓印在25年前的確是一個希望
因為當時半導體製程還在次微米0.18um附近
但是光通訊元件如波導等要考慮光的波長
所以間隔都要在奈米等級
半導體製程當初做不到
就想到奈米壓印
其實光通訊元件的pattern簡單重複
奈米壓印最大的問題就是對準與填充問題
反正都是重複pattern
哪邊良率不好就裁掉哪邊
所以用奈米壓印勉強可以用
問題是IC設計線路複雜
只要有問題就不能用哪能裁掉不能用的
所以日本人拼了25年還是沒成功...
之所以提這個
因為可能又會有小粉紅拿華為要搞奈米壓印狂吹一番
先打個預防針...
小粉紅不懂物理
以為靠吹就能人定勝天生出來...
