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個人研究觀察記錄篇 (漢磊3707)

kemk888 wrote:
請問如果漢磊持有嘉...(恕刪)


嘉晶 、 漢磊的差異 只是差在 漢磊科技晶圓代工

以目前來看 漢磊還是虧損 此時投資 漢磊屬於 高風險

嘉晶目前獲利 至少可以到2019年,但是主要的獲利是來自於 矽晶圓漲價

如果想投資 靠矽晶圓獲利的嘉晶 不如去投資 環球晶、中美晶,但是矽晶圓2019年之後呢??

但如果想投資 寬能隙半導體的話,嘉晶 與 漢磊 走勢 都會同步,如果要選一個我認為漢磊會比較好一點

但要注意的是 寬能隙半導體 台積電、穩懋、等等.... 都有在做,漢磊雖然進入的寬能隙半導體市場早,但是仍未必會贏。

況且漢磊晶圓代工 目前虧損仍大,到底甚麼時候能轉虧為盈 真的也不知道.....

先確定產業然後分析 在比較公司,最後再投資












wicks wrote:
嘉晶目前獲利 至少可以到2019年,但是主要的獲利是來自於 矽晶圓漲價


投資有賺有賠, 下單前請詳閱公開說明書.

股市獲利不二法門 - 選擇基本面佳個股, 逢低買進
嘉晶有EPC這個出海口
那至少可以確保它的獲利不墜
另外此時氮化鎵及矽碳占其營收比重微乎其微
只要EPC訂單一下來,其獲利營收應會馬上三級跳

現在要觀察無線充電及電動車何時能大躍進
今年是無線充電的元年,未來還有一大段路要走

如果要我選我會選嘉晶
kemk888 wrote:
嘉晶有EPC這個出海口
那至少可以確保它的獲利不墜
另外此時氮化鎵及矽碳占其營收比重微乎其微
只要EPC訂單一下來,其獲利營收應會馬上三級跳


就怕這只是一條小水管.
EPC 是搞無線電源(不是充電), 液晶電視, 筆電, 台燈等都不需要電源線. 啊, 然後呢?

更正: EPC 也搞充電, 不過非主流系統.
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嘉晶欠錢

董事長原來那麼有名!

聯電太子,不知為何轉職?

a14927 wrote:
嘉晶欠錢董事長原來...(恕刪)


應該是他認為這是另一個可以發揮的舞台.
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1. 漢磊是磊晶吧, 並非半導體矽晶圓.
2. 半導體矽晶圓族群只有 環球晶 . 台勝科 . 合晶 . 嘉晶
3. 中美晶也是太陽能矽晶圓, 能大漲要看兒子環球晶

磊晶 . 半導體矽晶圓 . 太陽能矽晶圓

真的在缺貨缺到破表的只有半導體矽晶圓 . 其他都不是. 日本信越.SUMCO. 環球晶. 德國siltronic 都是半導體矽晶圓
蛋頭991 wrote:
1. 漢磊是磊晶吧, 並非半導體矽晶圓.
2. 半導體矽晶圓族群只有 環球晶 . 台勝科 . 合晶 . 嘉晶


投資有風險, 下單前請詳閱公開說明書.
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GaN基板 大致上 有以下幾種



目前基板 最好的就是

1.GaN基板最好 但是 成本太貴
2.藍寶石基板 是LED的首選,但是散熱差不是合用電力與射頻元件 故 轉用 SiC or Si基板。
3.SiC 有良好的導熱性,也是成本問題。
4.Si 容易 與晶格 不匹配,但是可用以攤坪的晶圓廠製造,成本大幅降低。

目前市場大多是 用 GaN-on-silicon 達到折衷需求,成本市場可以接受,效能也比GaAs還要好。

近年來在消費性電源領域引發話題的手機快速充電、USB-PD等技術,就是氮化鎵元件可以大展身手的舞台。快速充電是智慧型手機或可攜式裝置使用者非常歡迎的功能,而為了縮短電池充電時間,充電器必須用更高的電壓或更大電流對電池充電。但行動裝置的充電器本身也屬可攜式產品,其外觀尺寸不能為了支援快速充電而增加太多,於這使得充電器製造商必須改用氮化鎵元件來實現產品設計。
也因為消費性市場存在可觀的潛在需求,氮化鎵製程已經吸引台積電等晶圓代工業者投入。戴樂格(Dialog)便是與台積電合作,利用台積電標準化的650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)製程技術,針對消費性市場推出可大規模量產的解決方案。
戴樂格企業發展及策略部資深副總裁暨新興產品事業群總經理Mark Tyndall表示,目前戴樂格的營收絕大多數來自智慧型手機的電源管理晶片,為了實現營收分散,強化公司體質,開拓其他新產品線,是相當重要的策略。其中,氮化鎵是該公司非常看好的重要新市場。在手機快速充電的需求帶動下,氮化鎵元件的需求成長潛力十分可觀,相信經濟規模很快就會出現。這也是戴樂格敢於大舉投資,成為第一家推出氮化鎵功率元件的IC設計公司的原因。
展望未來,氮化鎵的下一個重要應用市場是伺服器電源,而戴樂格將會在手機充電器應用所創造的經濟規模幫助下,進一步將產品線拓展到伺服器電源市場。

氮化鎵上矽(GaN-on-Si)介紹
LED磊晶生成大多係採用藍寶石基板或碳化矽基板做材料,但藍寶石基板與碳化矽基板成本較高,並且加工困難,導致以藍寶石基板和碳化矽基板生產的LED照明產品,尚無法普及。
LED磊晶在直徑大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵,並採用與現代半導體生產線相容的製程,其成本會比現有製程減少75%。以氮化鎵上矽晶圓製作的暖白光LED可提供125 Lm/W(流明/瓦)的效能,色溫為2940K(數字越大越偏藍),演色性指數(CRT)則是80%。此種LED擁有極低的運作電壓,350mA(毫安培)電流的電壓只有2.85伏特,因此非常適用於高電流密度環境。
由於氮化鎵的熱膨脹係數遠大過矽,這種不協調的狀況可能會在晶膜成長時或室溫下導致磊晶膜破裂或晶圓彎曲變形。如何在矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層,並且不會在室溫下彎曲變形,將是未來能否成功的技術挑戰。

目前在GaN基微波功率元件主要技術涵蓋了碳化矽基氮化鎵技術(GaN-on-SiC)和矽基氮化鎵技術(GaN-on-Silicon)兩種技術,其中以Qorvo及其他大多數廠商採用的碳化矽基氮化鎵元件占整體氮化鎵商用元件的95%,這是因為SiC與GaN晶格匹配度高、功率密度高,再加上碳化矽材料具有更好的導熱性,這解決了氮化鎵材料先天熱導率不高的問題,這也使得此種技術可選用更小的封裝尺寸,大大減少設備的體積(壹讀,2016)。整體而言碳化矽基氮化鎵元件具備高性能但相對的也具高成本問題,而對需要高功率且對成本不敏感的應用市場(如:國防軍事用途、無線通訊基地台)而言,此技術仍是具有吸引力的。由於碳化矽基氮化鎵技術雖有著高功率密度與導熱性,但因成本過高的問題,限制了氮化鎵材料在應用上的範圍,因此Macom公司提出則發展了矽基氮化鎵技術,企圖有效的解決成本問題,該技術的優勢在於矽材料在製程上具備了製作更大晶圓的技術、且生產線相關成本較低,這會使得矽基氮化鎵元件之成本降低許多,但由於矽材料的導熱率相較碳化矽為低,因此在封裝設計上就需要更強調散熱。受限技術關係,碳化矽基氮化鎵襯底主要還是以生產3-4英吋晶圓為主,未來正朝向6英吋晶圓生產,以求進一步的降低成本;而矽基氮化鎵晶圓則從6英吋轉為8英吋,這也會使得氮化鎵微波射頻元件在未來商業微波射頻領域的應用上更具競爭力。

我國產業在氮化鎵半導體材料的布局上,也依循此趨勢,主力布局於電力電子領域,相關廠商橫跨產業鏈磊晶到製造端,包含以磊晶為主的漢磊科技、嘉晶電子主要佈局於可耐受大電壓、高溫與能源轉換效率高的寬能隙功率半導體為主,另外還有超結(Super Junction)構造之MOSFET;而在元件設計端之瀚新科技則針對大電流規格之碳化矽MOSFET產品的開發為主,同時對1700V以及3300V的碳化矽功率元件進行投入,而在氮化鎵功率元件則主力在於600V以下無線充電之HEMT元件技術為主(鄭婓文,2017);而在製造端之台積電則宣布進入氮化鎵先進製程,與德商戴樂格合作生產6英吋、0.5微米、650V的手機快充晶片,而世界先進則是投資國外材料廠,開發電源管理IC的寬能隙半導體8吋製程(張嘉瑋,2016);而布局於微波射頻領域相關廠商則是位於材料端之環球晶圓,環球晶係以發展碳化矽基氮化鎵材料為主軸,目標為研發射頻(RF)用氮化鎵功率電晶體,產品市場鎖定於 4.5G / 5G 基地台(L/S/C-band)等(MoneyDJ, 2016)。


wicks wrote:
GaN基板 大致上...(恕刪)


我個人選擇嘉晶而非漢磊就是因為台積電/穩懋/聯電 等都將插手氮化鎵晶圓代工, 但他們不會自己作磊晶, 如果客戶不指定磊晶來源, 那麼嘉晶就有很大機會. 目前環球晶是一個競爭對手, 只是環球晶比較偏向射頻應用, 日後這一塊在5G K/Ka/Ku 頻段有很好的機會, 嘉晶並未說明是否會切入射頻應用. 聯發科底下的絡達科技似乎就設計以氮化鎵為基礎的PA.

外資大買漢磊而非嘉晶, 個人以為有兩個可能,

(1) 買家是大股東相關, 目的是增加持股比重, 畢竟檯面上的董監持股不高.
(2) 買家是純投機或投資, 但因為嘉晶籌碼集中, 大量買進會造成股價大幅波動, 且日後出脫不易.

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