<N> 從2337旺宏在電腦程式單的慘劇後的那周次開始研究，三戶開始減少甚多接近2~3%，取而代之的是大戶進場也是接近2~3%。
2018開始時，小散戶開始進場，股價開始下跌，旺宏股價最慘的時候，也是散戶持有最多的時候，可參考圖片底端的去年高點
大戶持有近六成的比率，目前籌碼開始集中，這是好事。
承上圖的時間區間<N>，這段期間外資一共買超了2萬6千6百張，外資持股從42.8%直線上升到45.4%，大約是2~3%，所以旺宏的大戶是誰，呼之欲出。
這段期間，代表著散戶的融資卻大減1萬多張，連帶券資比上升到了23.8，去年旺宏3/20融券回補，可期待軋空行情。
這是本周至今日的籌碼，三大法人聯手買超，接近3萬張，四個禮拜的量，一周就有了，外資捧場的結果，外資持股持續上升到了46%左右，券資比也持續上升到了26左右，行情目前很熱，外加最近陸續會有Q1的董事會，是個可以期待的未來。通常董事會前，有期待的股票行情熱不意外，修正也是等有確定消息放出的時候。
補充一點，去年這時候的旺宏根本沒有達到淨值10元，所以不會有信用交易之情事，但融券回補日期還是可以參考。
大家好
分享個人的底稿，生活忙碌，故文字敘述簡單，若有疑問請多指教，謝謝~
anticipate06 wrote:
感謝大大無私的分享...(恕刪)
聊點旺宏未來可發展的:
https://www.digitimes.com.tw/col/article.asp?id=562
MRAM發展的震撼彈
日本東北大學大野英男教授的最新研究突破，將可使MRAM演進至10nm以下，不啻於半導體業投下一個震憾彈。(圖片來源：Pixabay)
年初在《Nature communication》上日本東北大學大野英男(Hideo Ohno)教授的團隊發表一篇關於MRAM磁各向異性能(MAE；Magnetic Anisotropy Energy)的論文，對整個半導體業丟了一個震憾彈。大野英男是MRAM領域的前驅人物，現在仍然活躍在研究的最前沿。已進入量產工藝的垂直自旋轉矩移轉磁性隨機存取記憶體(pSTT MRAM)就是由他們團隊最先展示的。
半導體CMOS製程的發展看來推進到近乎物理極限3、5nm甚或往前再走一兩步應該沒有問題。但是一個CPU、MCU、ASIC中不僅只有CMOS，各型態的嵌入式記憶體也是重要組成，但是eSRAM、eDRAM、eFlash在製程演進中遭遇到的挑戰比CMOS還大。
先是eFlash，從90nm到65nm的遷移每一位元的尺寸幾乎沒有微縮，一個40/28nm微控制晶片中的eFlash面積可能已占總晶片面積超過30%，這是為什麼在28nm製程節點各代工廠要急著推出eMRAM的原因。
eSRAM也不遑多讓，目前1個eSRAM的面積大概有4、50個電電晶體大小，製程再演化下去情況會更糟。
eDRAM的狀況好些，一個eDRAM位元的面積大概只有eSRAM的1/3，但DRAM本身製程演進已近乎停滯於1xnm，未來CMOS再微縮，eDRAM很難跟的上腳步。這就是代工產業目前面臨的挑戰。
eMRAM的出現多少緩和了這情勢，28nm eMRAM成功替代了eFlash。MRAM還有個好處，如果資料保留時間(retention time)不是重要考量，則MRAM可以設計成可以快速翻轉狀態0、1的模式，速度可以加快，所以在3、5nm製程現在也開始研發以eMRAM替代eDRAM的方案。
MRAM靠其中兩個鐵磁層的磁矩方向(一個固定，一個可以翻轉)並排與否來定義0與1。其中一個重要的參數是MAE，指的是可以翻轉的那個磁矩兩個方向狀態系統的能量差，這個值越大，翻轉磁矩－就是改變記憶狀態－所需的能量越大，狀態越不易因週遭環境的熱擾動而改變，資料保存時間越久。
以前為了增加MAE的密度，利用薄膜磁性層與氧化層介面的(interfacial)MAE，讓磁矩垂直於薄膜表面，pSST MRAM名字中的p就是perpendicular的意思。但是若要用於非揮發性的應用，此介面MAE只能支持微縮到20nm，CMOS製程繼續微縮，但eMRAM製程卻無法亦步亦趨。
大野教授的創新－或者是走回老路－是用形狀(shape)MAE。形狀MAE的道理很簡單，磁性物質的磁矩一般是平行物質最長的方向，看磁鐵的磁性就知道了。如果將磁性薄膜的厚度增高，垂直MAE也會跟著增長。用這樣形狀做的MRAM，可以做到10nm以下，操作電壓維持在0.5V。
如果上面操作原理的說明你沒感覺，那麼直接看它的商業意義：MRAM可以做到10nm以下，資料保存時間10年以上，工作電壓0.5V，則10nm以下的eDRAM和eFlash已經有用eMRAM替代的解決方案，代工邏輯製程可以順當的推進至物理極限。至於eSRAM，目前還沒有好的解決方案，但是MRAM理論上的翻轉速度可以更快的。
對於記憶體，MRAM若可以演進至10nm以下，對於DRAM和3D Flash都有影響。現在DRAM的製程停滯於1xnm，MRAM可以持續微縮，將來成本上要較個真章。Flash在20nm後，3D製程才見成本優勢。MRAM在10nm以下也許成本還不能與3D Flash競爭，因為它的CMOS比較大。但是它的速度快、功耗低，至少有一部份的利基市場有可能移轉，就像當年固態硬碟之於機械式硬碟。所以記憶體市場也無法自外於這個技術變動。
2017-06-04 23:56經濟日報 記者簡永祥／台北報導
在台積電宣布即將量產磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）等次世代記憶體後，次世代記憶體已成下波記憶體顯學，包括旺宏、華邦電和聯電等，都積極投入，其中以旺宏研發腳步最快，已完成相關製程和專利布局，就等時機成熟。
MRAM是指以磁電阻特性，儲存記錄資訊的非揮發性隨機記憶體。優點是寫入與讀取時間的速度上可比美靜態隨機存取記憶體（SRAM），同時記憶容量可與動能隨機存取記憶體（DRAM）相抗衡。
記憶體業者表示，MRAM因為具備非揮發性記憶效能、低價、快速、低功率、高積體密度等功用，且讀寫次數近乎無限次，因而被認為是極具發展潛力的新穎記憶體，這幾年廣受各大廠積極投入。
國內除了台積電外，旺宏也早做好製程和專利布局。旺宏總經理盧志遠表示，這項記憶體具備比一般記憶體更快速讀寫特性，前景相當看好，但因為成本太貴，導致只能應用在極少數的特定市場，離商業化還有一段距離。
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