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旺宏-時來運轉??

CY8888 wrote:
會發表那篇看法 是因......
這個市場的研究報告出爐超過3個月 已經充分反應在60的高點價位了嗎? (恕刪)


謝囉~上網看到第一次減資約40%加四億增資,第二次減資約50%...,或許中間有些增資或其他吧?...

去年股價60反應的,應是先前減資前的目標價30的報告,還一度下修到27(減資後54),去年初也很多人不信,認為去年的營收與eps是高估的。正式調高目標價到75是在達到60以後,十月底的Q3法說會後吧。原則每季都會調一次吧,Q4的法說會後,里昂沒啥動,但有幾家估低的有上調。

個人的看法不在60價位,是目前已下修30%的42價位...,42並不是高點,相對應是低點吧,且即使Q1出狀況,大大們也認為今年還會比去年好很多...。系統風險前面有表示意見,就不多說了。哈啦哈啦~看看笑笑~輕鬆一點吧~
JKLMIN wrote:
謝囉~上網看到第一次...(恕刪)
最近的狀況已經不是基本面問題,先觀察下週鋼鋁關稅狀況,未明朗前即使下週一反彈也不會太高,但是一但成真恐怕變成報復戰,所有物價上漲,通澎上升,殖利率升高,景氣衰退,股價下修,一連串影響,下週應該偏空操作,靜待消息明確,空手者休息就好,個人看法
wilson667788 wrote:
最近的狀況已經不是基...(恕刪)


同意最近可能另有美國貿易戰引發風險,但鋼鋁非美主要貿易產品,影響最大的反而是友好的加拿大。當然若反應過度可能很糟,但若沒太惡化,也可能順勢化解美股過熱與聯準會提高升息次數壓力。
入市的個人看法不太一樣。近兩三月有資金壓力的可減碼固本;有游資又不願定存買債的,可分批投資,定期定額是不錯的方式,特別是股價相對低檔,再低都是好買點。但不建議用槓桿多空投資操作(上週看到巴菲特的話...聰明人破產的理由?巴菲特引用芒格說法:酒、女人及槓桿)。
好像哈啦哈啦太多了...

weberlin5019 wrote:
https://note...(恕刪)


感謝大大文章分享~
願您發財又富貴~
weberlin5019 wrote:
https://no...(恕刪)



簡體字太多了,看得好累
藍氣球 wrote:
簡體字太多了,看得好...(恕刪)
2018 Q1 跌價6-8%, 2018年底邁入.19製程
股版冥燈 JIZZ56大推

我要賣了 之前聽他的加碼橘子都 跌到72






紫光旗下的長江存儲已經研發出了 32 層 64G 的完全自主知識產權的 3D NAND 晶片,2018 年將實現量產。

紫光在晶片領域持續發力,先後收購了展訊和銳迪科,依托長江存儲布局存儲,並入股了台灣矽品 (2325-TW)、南茂 (8150-TW)(IMOS-US) 在中國大陸的子公司,具有了設計、製造、封裝等全產業鏈的布局,已經形成了較為完整的 IDM(垂直製造)積體電路巨頭的雛形。

而根據中國半導體論壇報導,根據長江存儲先前揭露的計劃,32 層 3D NAND 主要是技術打底的動作,大陸真正視為主流的是 64 層 3D NAND 技術,這也是目前三星 (005930-KRX)、東芝 (6502-JP)、美光 (MU-US)、SK 海力士 (000660-KRX) 等 NAND Flash 大廠主流的技術。若大陸成功發展 64 層 3D NAND 技術,且全面大量投產,將有機會與三星、東芝、SK 海力士等拉近差距,同時也代表中國在 NAND Flash 晶片製造上能夠達到國際水平。

lancelot916 wrote:
大大們開釋一下.....(恕刪)



三星確認興建平澤新工廠,投資 30 兆韓圜生產 DRAM 及 NAND Flash

https://finance.technews.tw/2018/03/02/samsung-factory-dram-nand-flash/

根據南韓媒體的報導,南韓記憶體大廠三星已經確認,將會在南韓平澤市興建一座新的半導體工廠,用於擴大 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的產能。之前,南韓媒體《FN News》曾經引用業界人士和平澤市官員說法報導指出,三星電子將召開管理委員會議,決定是否興建第 2 座晶片廠,並於農曆新年後宣布決定。報導指出,總投資額可能約為 30 兆韓圜(約 27.6 億美元)。

而根據《FN News》的進一步報導,目前三星已經在南韓平澤市有了一座大型工廠,這座工廠從 2017 年開始在進行 64 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體顆粒的生產工作。而新工廠暫時名為 P2 Project,就在距離舊工廠不遠處。目前該新工廠的投資額達 30 兆韓圜(約 27.6 億美元),不過暫時不清楚是初步投資金額還是總投資金額。至於會採獨資或者是合資的方式來興建,三星目前也沒有透露更多的消息。

報導進一步指出,現在這座新工廠已經開始建設,而且管道鋪設工程也已經接近尾聲。未來,新工廠完成興建之後,將會擁有同時生產 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的能力。但是目前三星並沒有對外披露具體的生產計畫。外界預估,屆時 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的生產應該會各占產能的一半,而且三星會根據市場的需要進行動態調整,以此來決定 DRAM 或 NAND Flash 快閃記憶體的產能高低。

根據規劃,三星的這一座新工廠將會在 2019 年年底完工。因為,設備的採購和人員的到位也還需要一段時間。因此,三星最遲也要在 2018 年年底決定是生產 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體的比例。市場人士認為,目前 NAND Flash 快閃記憶體的缺口不是很大,原有的工廠產能也沒有達到滿載情況,但是 DRAM 市場目前卻處於供不應求的狀態,所以新工廠應該會以 DRAM 為主。這樣的話,只要新工廠完成後投入生產,DRAM 的產能就會得到進一步的提升,紓解當前 DRAM 不足的問題。

ambitiously wrote:
三星確認興建平澤新...(恕刪)


無言..

我看到了什麼..??

沒錯..看不到什麼?

因為和旺旺無關.....

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