明年 NAND flash 究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利（大摩）唱衰 NAND flash 的報告，開了第一槍。如今 IHS Markit 也跟進，預測明年 NAND 將供過於求。但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年 NAND 供應將持續吃緊。
韓媒 BusinessKorea 5 日報導，IHS Markit 報告預估，明年全球 NAND flash 供給將提高 39.6%、至 2,441 億 GB。其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增 39% 至 879 億 GB。與此同時，明年全球 NAND 需求提高 36.7% 至 2,424 億 GB，供給超出需求 17 億 GB，供給過剩比率約為 0.7%。
儘管 NAND 轉跌，DRAM 價格仍旺，業界人士說，三星也許會減產 NAND、增產 DRAM。美系外資附和此一看法，推測三星平澤廠的二樓產線，可能從生產 NAND 改為生產 DRAM。若真是如此，該外資預估，明年 NAND 將短缺0 .7%，供不應求情況到明年第三、四季更為嚴重，將分別短缺 2%、3.2%，吃緊情況為去年第四季以來之最。
部分觀察家則說，另一個可能影響產出的因素是製程轉換的技術問題，也許會讓增產幅度小於預期。技術難度不斷提高，過去六、七年來，業者投資規模大致維持不變，但是產出成長幅度卻減半。隨著三星和 SK 海力士轉進 3D NAND，結果或許好壞參半，壓縮成長增幅。
在此之前，另一韓媒也說，三星平澤廠二樓主要用於生產 DRAM，但是警告此舉也許會讓 DRAM 供過於求。
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