guest2000 wrote:
一直學不好怎麼辦...(恕刪)
三星在7nm時的策略就有問題
懂製程的人一看就覺得不保險
因為2018年三星7nm要導入EUV
拜託,知道ASML的人都知道當時量產機250W125wph (wafer per hour)3400C才在2017年交貨,
馬上就要量產有可能嗎?之前用3400B的參數可以改來用嗎?
GG用多重曝光是保守的作法,證明也是如此~
隔一年才用EUV量產
5nm時代FinFET繼續用,與7nm不同的地方在製程上是Fin的aspect ratio加大,這只是改良
3nm時代三星要用GAA,全新架構不知有多少問題要解決,客戶要的是有量率有量可以出貨,這問題就很難~
GG還是魔改FinFET,比較保守但可行~
所以三星在3nm可以號稱先量產,但良率與產能一定會有問題
2nm會不會用FinFET我不確定,但我覺得GG一定會練GAA一直練功到比FinFET差不多才會推出⋯




























































































