中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機 (DUV) ，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發
「理論上」是
學術說詞
「理論上」可做3奈米！中國光刻機技術傳重大突破 與ASML走不同路繞開封鎖
中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機 (DUV) ，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發
「理論上」是
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中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機 (DUV) ，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發
「理論上」是
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