太賊了........
....^^^^^^ 忘了還差一個 WinXP Pro, 台灣版還有附機座, 算一算不會差太多耶但是這些東西不是很有必要就是了, 還是四萬五便宜些...
剛剛看到一個報告, 倒是還有一個疑問,
7.4v 2600mah 充飽電, Suspend to RAM, 24 小時後只剩 38% 電量?
一天超過十瓦, 有點不可思議, 難道這是五秒快速喚醒的犧牲??
五年前的產品 VAIO SR 11.1v 3600mAh 充飽電可以放到一個禮拜耶, 一天不到六瓦,
消耗電量未免差太多了點...., 但是喚醒大約需要 13 秒吧。
不知道 Pana R5 表現如何??
chuangwilliam wrote:
UX-50 的擴充槽是附的
不用錢
如果UX-50在台灣賣45000....那會有一堆人買吧!
)可是店員說還原金跟免稅只能選其一
我只好選還原金,因為有10%,免稅才5%
花了差不多50張小朋友,可是還原金也有近5張小朋友
可惜沒大容量電池,只能換一些其他的配件
使用了一整天,真的很棒!!
反應也很快,可以上課的時候偷偷玩SKYPE
唯一美中不足的就如同大家所說的待機時間太短
剛剛再飛機上才看完一場電影,正準備玩一下內建遊戲
就....電力不足
看來真的得買顆大電
想請問一下各為該如何把系統中文化?
謝謝!!
chliusis wrote:
不過NAND fla...(恕刪)
沒錯..
寫是會多一道 erase ..
但也沒有到 蠻花時間, (NOR 就很花時間)
還是比硬碟快很多.
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/NANDFlash/SLC_LargeBlock/16Gbit/K9WAG08U1M/K9WAG08U1M.htm
Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 200µs(Typ.)
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)
不過, 除非系統長時間滿載, 加上 空間剩很小,
不然會利用 IDLE 時間, 把資料事先 erase,
而不會要寫時才 erase.
(這應該也是
加上 nand 的可抹寫次數是有限的,
所以如果所剩空間很小, 那麼當有資料變動時, 那個空間的被抹寫次數有可能就會暴增...
(還是有好的 algrorithm, 把比較少變的資料, 移到抹寫次數已經很多次的 block 上?...)
所以, 我是覺得 nand 的 disk, 資料不要放到快滿....
ec wrote:
不過, 除非系統長時間滿載, 加上 空間剩很小,
不然會利用 IDLE 時間, 把資料事先 erase,
而不會要寫時才 erase.
...(恕刪)
問題是運算更改或寫入新資料時，如何能把資料事先erase呢？
除非電腦有未卜先知的能力，事先就知道哪一部份的資料
是要更改或是不要的。
所以真正flash disk在運作時不是這樣做的，而是先把資料
寫到另一個區塊，事後才來erase，但這個algorithm就是
一個專利。
ec wrote:
(這應該也是加上 nand 的可抹寫次數是有限的,
所以如果所剩空間很小, 那麼當有資料變動時, 那個空間的被抹寫次數有可能就會暴增...
(還是有好的 algrorithm, 把比較少變的資料, 移到抹寫次數已經很多次的 block 上?...)
所以, 我是覺得 nand 的 disk, 資料不要放到快滿....
...(恕刪)
所以我以前才會說flash disk的空間愈大愈好，所以好的讀寫algorithm
就很重要，但是好的algorithm都是有專利保護的，所以能做的只有少數
幾家公司而已，買到不好的flash disk恐怕performance就差很多了。
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