Eason-Chang wrote:
謝謝T大,看完後,對...(恕刪)
往下繼續看你會看到這一串~
在長曝時感光原件產生的雜訊控制上,由於CMOS為較低溫的電荷原件,在10多分鐘內的長曝並不需要開啟消除雜訊功能,這比CCD容易因長曝而溫度提高而產生紫光現像和雜訊有利多了。
jimnan2 wrote:
現在大家都在比高is...(恕刪)


Eason-Chang wrote:
謝謝T大,看完後,對原理有稍微了解些了
只是在差異的第4點
雜訊差異:由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器,如果以百萬畫素計,那麼就需要百萬個以上的 ADC 放大器,雖然是統一製造下的產品,但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在,很難達到放大同步的效果,對比單一個放大器的CCD,CMOS最終計算出的雜訊就比較多。
關於這點.是小弟理解錯誤嗎?
先前看到的都是CMOS 雜訊處理較佳耶?..(恕刪)
符碌之神 wrote:
錄影有這個,SONY...(恕刪)