byrianshih wrote:
A7RII長曝噪點問題很明顯
其實，如果樓主結論能加上，什麼環境下，才會用到ISO3200以上+30s曝光
我想這樣可以更客觀讓人了解到A7R2的不堪!!!
對焦a7s -4ev a7r2 -2ev
想也知道 a7s 比較強..
應該拿a7ii 跟 a7r2 比.. 跟a7s 一定被k
因為新的感光元件, 後面堆疊了DRAM跟小CPU,減少傳遞的路徑, 增快了速度, 但是長曝溫度一定比較高, 熱雜訊一定比較高的
RX-100IV也是堆疊DRAM.., 等RX100III賣完, 也是要買RX-100IV沒得選
lowlence wrote:
Chapter 05【長曝測試、降噪前後比較】
條件：把可以讓機身產生熱的能關閉的選項都關一關
Steady 功能 關閉(防手震)
電子前簾式快門 關閉
消除長曝雜訊 關閉
高iso雜訊消除 關閉
蓋上鏡頭蓋：曝光30"
100% 裁切正中央約400百萬畫素
※ 注意，這不是iso測試，純粹是看各iso值長曝30秒的表現...(恕刪)
好像還有
靜音快門
連拍
動態範圍最佳化
請參考
我發現其實MILC這類相機～完全冷卻關機狀態剛開機拍的第一張雜訊最低～
所以CMOS一直開著待命也會影響雜訊嗎？
小笨賢 wrote:
光看規格 a7s 可以到iso 409600, a7r2 只能到102400
對焦a7s -4ev a7r2 -2ev
想也知道 a7s 比較強..
應該拿a7ii 跟 a7r2 比.. 跟a7s 一定被k
因為新的感光元件, 後面堆疊了DRAM跟小CPU,減少傳遞的路徑, 增快了速度, 但是長曝溫度一定比較高, 熱雜訊一定比較高的
RX-100IV也是堆疊DRAM.., 等RX100III賣完, 也是要買RX-100IV沒得選 ...(恕刪)
誤會大了～
堆疊架構只有RX-10II/RX-100IV使用的那塊1" CMOS
A7R2只是同一時間發表～兩者用的技術分別是：
A7R2採用 背照式CMOS(目的是減短匣口長度,增大集光效益)～合金鋁線改銅線(目的是3.5倍速度輸出資料)
RX-10II/RX-100IV 配備DRAM晶片1"堆疊式CMOS (目的是連續高速地吃進960fps每幀幅的龐大訊號)
CPU通通掛在基板上！
請參考
(2)黃色那區域就是單眼時代俗稱的通道(4/8/12/16)
(3)才是給CMOS用的DRAM晶片
然後再把被DRAM晶片吞進來的CMOS訊號丟進基板上的BIOX-Z CPU處理
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