goodversion wrote:
這可以說一個問題，不同單位面積，在同一平面下的光量是一樣的吧...
(恕刪)
good兄我想你的問題大概出在這裡了
不同面積接收的光量是不同的喔
你可以把光線想成是一堆平行射出的箭矢
假使每平方公分有一百枝箭
每十平方公分就有一千枝箭
所以說假使 "單位畫素" 的面積大小不一樣
接收到的光強是不一樣的 (就是吸收的光量)
你可能會迷糊的一點是
明明都是同樣鏡頭同樣光圈進來的光
為甚麼會有差
差別在於...
對APS size來說 射在他周邊的光都被浪費掉了
Full size周邊浪費的光量則比較少
畫圖表示像這樣
小元件
-> 浪費掉了
-> 浪費掉了
-> |
-> |
-> 浪費掉了
-> 浪費掉了
大元件
-> 浪費掉了
-> |
-> |
-> |
-> |
-> 浪費掉了
只不過我前面講的是十倍的差異
這裡則是2x2 : 4x4
至於所謂的iso是定值... 因為iso的計算是 總入光量/單位面積
所以跟單位面積的確無關
至於為甚麼相反的高iso通常畫質比較差？
這又是另外一個獨立的問題
這部分我不是很確定廠商是怎麼設計的
因為實際上CCD對於過強或過弱的光都會工作得不好
我只能猜想廠商原本就把ISO值訂為在100 or 200的時候是最佳
而在吸收超過的光量的時候 產生比較大的誤差
因此使得畫質下降
這跟以往底片的原理又不相同 底片高iso畫質差則是因為粒子粗解析度下降... (昏了吧...)
至於你後面的甚麼fill factor... 其實不太瞭解你要表達的是甚麼...
暫時無法解釋囉...
walkingracer wrote:
我不筆戰喔,只是在F...(恕刪)
就回到討論當初的原點
SElephant wrote:
相同畫素之下，晶格的密度越低，每感光單位能獲得的光量就越多，解析度比較高。...(恕刪)
以上紅字你錯看成畫質，就引發後續一連串的討論，紅字改成畫質我沒意見
但是當初我的重點是解析度比較高，好像到現在好像你還沒發現
你談到縮圖我覺得那很扯
因為縮圖是用演算法，將相鄰的顏色，經比對演算後，幾個顏色可能變成一個新顏色，最後照片像數降低
這縮圖與你講的進光大、較大的元件八竿子都打不到，你還可以同理可證
這同理不知由何處引過來的，所以強調這個同理tone跳太多了
~~~~~~~~~~
打到一半突然發現你修改，那我也寫到這裡
seva0419 wrote:
good兄我想你的問題大概出在這裡了
不同面積接收的光量是不同的喔
你可以把光線想成是一堆平行射出的箭矢
假使每平方公分有一百枝箭
每十平方公分就有一千枝箭
所以說假使 "單位畫素" 的面積大小不一樣
接收到的光強是不一樣的 (就是吸收的光量)
你可能會迷糊的一點是
明明都是同樣鏡頭同樣光圈進來的光........
ISO......
因為實際上CCD對於過強或過弱的光都會工作得不好
我只能猜想廠商原本就把ISO值訂為在100 or 200的時候是最佳
而在吸收超過的光量的時候 產生比較大的誤差.(恕刪)
嗯，以上同意，因為我少考慮到一點，把箭當到pl/mm的話，
當進光量上升，pl/mm是上升的，
而我說的fill factor是光填充係數，
因為想拉回畫質的討論，
感光開口大，填充係數就大，而iso就高，我想指的就是這樣
而iso純淨，加上填充係數高，pl/mm的上升，普偏的認知這就是"好畫質 "
當然，iso過大或過小，都會使訊號失真，當然畫質會不好，
另一件事是說，fill factor高，不是因為片幅大，是因為他的受光的pixel開口大，
也就是，當然可以做一片aps size，但fill factor很高的sensor，但勢必畫素降低。
等同於D3的DX模式!!!!
對於同一個鏡頭在相同光圈與快門設定的狀況下來說，FF跟APS相機因為光學特性不同，FF就是可以利用到比APS多的總光量（光量比例大約是1.5到1.8倍吧？看各品牌設計不同而定），假如有兩塊感光元件，FF與APS的畫素相同，那麼在下列算式中：
總光量 / 畫素 = 單位畫素可以分得的光量
因為分母固定，所以總光量較高的FF，其平均畫素捕捉到的光量多，自然能夠較忠實的反應鏡頭捕捉到的光線品質，這是光學部分的優勢。
除此之外，考量到無論是CCD還是CMOS，畢竟都是利用光電效應原理來儲存影像，因此除了光之外，電的影響也很大。較小的晶格表示感光板上的電荷密度較高，它們之間會不會發生磁波的干擾、產生的熱密度較高而產生雜訊、甚至當晶格小到一個境界時，會不會發生光線的繞射現象（別忘了數位相機還得靠濾鏡來將不同光譜的光線分離，密度低比較有機會將不同顏色的光分得清楚一點，避免干擾），這些因為我不是專家，不敢斷言一定會怎樣。只是以基本的物理常識來說，凡是跟電與熱有關的東西，向來都是密度越低造成干擾的機會越小，這點應該不會有太大的爭議才對。
不過，上述的比較只是基於『畫素』相同但感光元件尺寸不同的狀況而論，因為原題是D300與D700間的比較，它們擁有接近的畫素，但感光元件尺碼不同。有些人扯到大面積高畫素與小面積低畫素之間的比較，我認為其變因太多實在無從比起，感覺上有點像是在說EOS-1D MkIII跟D3之間的PK到底誰會贏，像這種問題大概只能靠實際拍攝看結果來評比，光是靠物理原理來判斷，似乎不容易分出高下........
SElephant wrote:
除此之外，考量到無論是CCD還是CMOS，畢竟都是利用光電效應原理來儲存影像，因此除了光之外，電的影響也很大。較小的晶格表示感光板上的電荷密度較高，它們之間會不會發生磁波的干擾、產生的熱密度較高而產生雜訊、甚至當晶格小到一個境界時，會不會發生光線的繞射現象（別忘了數位相機還得靠濾鏡來將不同光譜的光線分離，密度低比較有機會將不同顏色的光分得清楚一點，避免干擾），這些因為我不是專家，不敢斷言一定會怎樣。只是以基本的物理常識來說，凡是跟電與熱有關的東西，向來都是密度越低造成干擾的機會越小，這點應該不會有太大的爭議才對。
...(恕刪)
主要不是什麼磁波的干擾，
一個是以fill factor為主，因為光開口大，每個像素集光鏡片不用像ccd一樣放大，
這時的光互相干擾會減少，
再來，因為光開口大，熱雜訊也就降低了，
還有一個，因為cmos是每一顆一組adc放大電路，所以容易產生fixed noise，
但這個也隨著進步，改善到接近ccd的品質了，
其實，cmos的缺點就是雜訊，可是製程進步後，cmos可以把fill factor做大
很多問題似乎不是問題，畫質才有所提升的。
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