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5D III 的腳步近了,終於CR3了 !

toe1122 wrote:
雖然仍不太懂
還是謝謝解答
但總覺硬體應該有能力解決畫素與感光元件最佳化的問題
也就是不論在高畫素或低畫素模式下都可善用感光元件


其實很簡單
一片36mmx24mm的白紙(模擬135mm 全幅感光元件尺寸)

當我要把他等分成6個正方格時
只要畫3條黑線(橫線1條,直線2條,雙十字型)

當我要把他等分成96個正方格時
必須要畫出18條黑線(橫線7條,直線11條)

當我要把他等分成3千600萬個正方格時
必須要畫出無計其數條黑線

也就是說,當我要把他分成越多正方格時
必須畫越多黑線
此時白紙的白色區域跟著變少
黑色(線)區域跟著增加


總開口率 = 白色區域/全部區域 = (全部區域-黑色區域)/全部區域
(正方格=畫素;白色區域=實際感光區域,黑色區域=畫素間隙=浪費的區域)

當畫素越高時:
黑色區域越大,白色區域越小,總開口率越低

當畫素越低時:
黑色區域越小,白色區域越大,總開口率越高

=>同樣的全幅感光元件,控制變因下,36MP的感光元件總開口率是低於18MP的
因此,36MP感光元件使用降畫素至18mp方式拍攝
畫質當然不如 18mp


除畫素之外
另外一個不可忽略的因素,就是溫度
CMOS每一個畫素都是由互補型金屬氧化層半導體FET所構成的邏輯閘電路
畫素越高,邏輯閘電路越多,每個電路所占面積越小
電路多且小,更導致通道越窄,阻抗越大,散熱越差
多重因素下,造成溫度越高
感光元件溫度越高時,雜訊越高是無法避免的,S/N 當然下降

asdfzcb wrote:
其實很簡單一片36m...(恕刪)

學習了。
謝謝您!受益良多~
asdfzcb wrote:
其實很簡單一片36m...(恕刪)

asdfzcb wrote:
其實很簡單一片36m...(恕刪)

asdfzcb 兄這樣講示意,對於某些還可以使用,但後面一些技術不一定適用這樣觀念。

光線是有經過微鏡片聚光,再經濾色片,在到達感光元件。
所以像後面做無間隙微鏡片的CMOS,實際上,光線並不因為一些額外空間,在畫素變多時候而佔據掉!
diffusionless wrote:
asdfzcb 兄這...(恕刪)

我在127樓有提到
目前畫素之間仍不可能百分百實質零間隙
你提供的是理論示意圖
廠商號稱零間隙
畫素與畫素之間,透通性也會線性遞減
實際上開口率不可能百分之百
diffusionless兄可參考
高畫素高性能全幅之作 Nikon D800 搶先試玩 66樓
我把吉姆林兄D800 36MP縮成與D700相同之12MP作比較
D800縮圖後高感噪訊表現大約仍差D700約1.5級左右
這其中還包含3年半的技術演進
為何?

試想在D700推出同時也出一台36MP
是否差距更大...

asdfzcb wrote:
其實很簡單
一片36...(恕刪)


感謝您的說明
學習了
asdfzcb wrote:
其實很簡單
一片36mmx24mm的白紙(模擬135mm 全幅感光元件尺寸)

當我要把他等分成6個正方格時
只要畫3條黑線(橫線1條,直線2條,雙十字型)

除畫素之外
另外一個不可忽略的因素,就是溫度
CMOS每一個畫素都是由互補型金屬氧化層半導體FET所構成的邏輯閘電路
畫素越高,邏輯閘電路越多,每個電路所占面積越小
電路多且小,更導致通道越窄,阻抗越大,散熱越差
多重因素下,造成溫度越高
感光元件溫度越高時,雜訊越高是無法避免的,S/N 當然下降
...(恕刪)

受教了

可以問一個笨問題?

CMOS的製程也是處理器一樣

分幾奈米 幾奈米的技術?

5代處理器好像是28奈 發熱應該會較低對不對?!

狙擊手EX wrote:
受教了可以問一個笨問...(恕刪)

抱歉!
雖然我是學電子的
但製程方面我完全不懂
目前CMOS在感光元件領域
應該算是次微米μm
不到奈米

asdfzcb wrote:
抱歉!
雖然我是學電子的
但製程方面我完全不懂
目前CMOS在感光元件領域
應該算是次微米μm
不到奈米...(恕刪)

您客氣了~

這樣反推的話~

高畫素來了的熱燥 也遠低於處理器或是環境帶來的影響吧?!



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