五分鐘的限制就是為了關稅罷了
否則會被課DV的稅
至於你說的什麼一道強光什麼燒毀CMOS的在DSLR及DV上不可能發生
原因很簡單：高光溢出不等於燒燬
至於CMOS燒毀的溫度請翻翻SPEC
然後做個實驗：在大太陽下拿顆鏡頭全開光圈，將焦點投射在溫度計上(請找高溫溫度計)(焦距暫且算是卡口距46.5mm)，看看到達燒毀的溫度要幾秒...
flickr.com/photos/henrie/
當初您的論點是指高光所造成電流過大使得CMOS燒毀，現在怎麼又變成陽光在燒毀CMOS?
一般在感光二極體內產生的電流是很小，所以通常是需要訊號放大，電流路徑除非換成電阻很大的材料，否則產生的熱是很小，一般導線電阻都是特別小，當然在線徑很小的時候會增加許多，但實在是電流太小，這部份也是高ISO或在太陽能電池中要克服部份。
若是以直射太陽光照射在CMOS下會怎樣，這部份比較有機會，能量上就至少差好幾數級，至於連續照5分鐘或20分會不會造成破壞?因為太陽相當是無限遠的一點，能量密度是很高，所以長時間是有可能會造成破壞。
像現在有些利用太陽能烤肉，就是把烤肉鍋設計成像是拋物線曲面鏡，這樣可使得提高能量密度達到像當高溫，而看到一些小學生實驗數據顯示5-10分鐘可達到70-80度。
那大大既然提了這樣問題疑惑，那可以麻煩著手進行些小實驗，像是在鏡頭鏡後距46.5mm位置測量溫度，這裡測量點位置最好選用玻璃，這樣比熱不會差太多。與其等待別人有效證據，不如自己著手進行，或許其他大大會有藉口說: 誰會去拿相機對直射太陽曝照?不過不小心逆光碰到太陽的機會也不少，停留也可能達到數秒，那數秒內到底會產生多大影響?那就得看大大!
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