KelvinLai wrote:
有一種說法
使用久了,或寫入次數增多後
讀取的速度會變慢, 有人比較過嗎?
剛買來時測, 跟一陣子再測的速度會不一樣
想太多了吧....
flash這種東西不會有這種問題吧
如果是的話記憶卡這種東西就不會保終身了...
KelvinLai wrote:
有一種說法
使用久了,或寫入次數增多後
讀取的速度會變慢, 有人比較過嗎?
剛買來時測, 跟一陣子再測的速度會不一樣
分享一下個人的經驗,
SSD (或稱FLASH) 是利用浮動閘極 (Floating Gate) 儲存電子,
(用浮動閘極儲存電子可在移除外部電力時不會消失)
以決定儲存資料是 "0" 或是 "1", 若浮動閘極有電子表示儲存資料為 "0", 那沒有電子表示儲存資料為 "1"
當資料寫入SSD (FLASH)時，會將要寫入位置的資料清為"0" (亦即將浮動閘極的電子強力排出)
並在寫入"1"的地方，將電子強力灌入浮動閘極 以完成資料的寫入
這裡特別標示強力是因為要用很大的電壓才有辦法將電子灌入或排出浮動閘極
這表示將電子灌入或排出浮動閘極時會破壞元件的晶格, 使得電子出入浮動閘極的速度變慢
(您可以想像一下如果流入或流出湖泊的河道有淤泥, 要花更多的時間才有辦法將水位拉低或拉高)
造成寫入時間不固定. 為了解決此問題, SSD (FLASH) 內會有一個FSM (Finit-State Machine)控制晶片,
一開始資料寫入時將電子排出(或灌入)浮動閘極, 並將資料讀出判斷是否正確寫入資料,
若是則完成動作, 否則會重複一樣的動作直到資料寫入完成, 若超過一定的寫入時間就宣告無法寫入
所以正確來說, 當同一區塊資料寫入次數太多, 寫入的速度一定會變慢
(因為晶格的破壞, 造成同一個位址要花較多的時間才能將資料正確寫入, 也許同一區塊要上千甚至上萬次寫入才會造成晶格嚴重破壞, 使得寫入速度明顯變慢)
而但資料的讀取完全不影響, 因為讀取動作不會破壞元件的晶格.
SSD (FLASH)判定壞掉也不是真的壞了, 是因為在一定的時間內無法將資料正確寫入.
(河道再怎麼淤積, 還是有涓涓細流, 只是時間要花比較久)
這是多年前接觸FLASH所學到的觀念, 現在的設計有沒有改進或改變就不得而知了.
知道的同好可以一起分享經驗..
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