問題一
何謂雙通道?
問題二
小弟最近想買W3V NB 看到大家討論幾乎都換了兩條金士頓記憶體
金士頓是世界知名品牌想必有過人之處 跟華碩原廠記憶體或創見的記憶體差別在哪?因而廣受大家喜愛
問題三
如果把內建記憶體換成兩條金士頓價格會要增加2倍嗎?
問題四
假使只增加一條記憶體和華碩NB裡面內建的記憶體相容性會好嗎?亦可使用雙通道的效能?
請大大多多指教 謝謝!
能將資料頻寬提升一倍.所以假如使用雙通道 DDR333 理論上就能達到 DDRII667
相同資料頻寬(5.4GB/sec)
--->>目前雙通道有 64+64 bits . 64 bits *2 兩種作法!!
--->> 插一條亦可使用 只不過無法發揮兩倍之效用
******FBD 簡介*******************************************
Intel在2004年春季IDF論壇上宣佈了Memory Implementers Forum(MIF)新組織,並公佈了由其所宣導的新一代記憶體規範:“FB-DIMM”記憶體規範。
英代爾準備FB-DIMM用來替代目前的DIMM設計。
近年來,CPU的運算性能呈幾何級提升,記憶體帶寬成為系統越來越大的瓶頸。目前處於主流DDR技術已經發展到極至,受其架構的限制,DIMM體系記憶體的速度已經很難再有所提升,可以說目前記憶體子系統遇到更大的挑戰。未來的計算運算應用將需容量更大、速度更快的記憶體系統予以支援,而目前的記憶體子系統顯然還達不到這種要求。
也許有些朋友會這樣問“為什麼我們不能在現有的雙通道記憶體系統的基礎之上推出四通道或八通道系統來提升記憶體子系統性能呢?”雖說採用多路並行的記憶體架構設計可以極有效地提升記憶體帶寬,但受目前SDRAM、DDR、DDR2記憶體自身架構的制約,要實現類似四路並行設計是有相當難度的。
因為目前的記憶體主要是採用傳統的64位並行設計,即北橋晶片的記憶體控制器與記憶體模組之間均通過64位元的平行匯流排來資料交換,但此類平行匯流排設計有一個最大的缺點:就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因為目前的DIMM採用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構。
在這種結構中,每個晶片與記憶體控制器的資料匯流排都有一個短小的線路相連,這樣會造成電阻抗的不連續性,從而影響信號的穩定與完整,頻率越高或晶片顆粒越多,影響也就越大。這也是目前基於此類並行體系的記憶體如DDR頻率低下的原因。
而且對主板設計而言,設計記憶體系統的平行線路也非易事。因為在記憶體控制系統之間要保持各路產生的傳輸信號同步,這就要求各條線路的長度必須保持嚴格一致,這意味著如果採用4通道設計的話,每塊主板上的針對記憶體的資料線路到達了256條(4X64),這將佔用很大的面積,無疑會大大增加主板的生產成本。
鑒於以上情況,業界推出了“減小位元寬,高頻率和多路並行”相結合的解決方案。而這個理念,Rambus在其下一代記憶體技術—XDR記憶體中已經實現:匯流排位元寬只有16bit的XDR記憶體,憑藉高達4GHz的工作頻率可以提供8GB/S的帶寬,如果採用八通道設計的話,則可以提供64GB/S的帶寬,而主板上的線路也僅僅只有128條(16X8),相當於目前的雙通道DDR主板。也正是基於以上設計理念,英代爾也發佈了針對未來企業級運算平臺的新一代記憶體體系:FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM)!
其實我是認為創見的RAM也不錯,也很多人在用
記憶體最主要還是顆粒的問題,創見好像是用ELPIDA的顆料,而KINGSTON是用SAMSUNG的樣
子,這兩個都蠻常見的,如果不是要追求效能的話(如超頻),各廠顆粒的性能不會差太多,一般人最關心的還是相容性的問題,如你所說的,既然聽過很多人使用KINGSTON的RAM,那表示相容性沒有什麼問題,所以如果你是新手級的買者,建議你跟著大家買KINGSTON的比較不易出問題
問題三
不太懂你在問什麼耶

你該不會是在問能不能把原廠的記憶體換掉吧??
據我所知一些大廠(如IBM、SONY..)是不能啦~
但華碩也許可以的樣子,和店家商量看看吧~
問題四
記憶體會不會相衝要真正試過才知道,不然誰也無法保證,所以我才會推荐你買很多人使用的KINGSTON,因為多人用表示相容性有一定的水準
所以到底會不會相衝依你插的那一條記憶體而定
要跑出DUAL CHANNEL的話至少要同時脈、同容量的,可以的話最好是同顆粒、同廠牌..
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