CMOS英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補性氧化金屬半導體
CMOS和CCD一樣同為在數位相機中可記錄光線變化的半導體 ，外觀上幾乎無分軒輊。但，CMOS的製造技術和CCD 不同，反而比較接近一般電腦晶片。CMOS 的材質主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶 – 電） 和 P（帶 + 電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。然而，CMOS因為在畫素的旁邊就放置了訊號放大器，導致其缺點容易出現雜點 ，特別是處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象，更使得雜訊難以抑制。
CCD 英文全名 Charge Coupled Device，感光耦合元件
CCD（Charge Coupled Device ，感光耦合元件〉為數位相機中可記錄光線變化的半導體，通常以百萬像素〈megapixel〉 為單位。數位相機規格中的多少百萬像素，指的就是CCD的解析度，也 代表著這台數位相機的 CCD 上有多少感光元件。 CCD 主要材質為矽晶半導體，基本原理類似 CASIO 計算機上的太陽能電池，透過光電效應，由感光元件表面感應來源光線，從而轉換成儲存電荷的能力。簡單的說，當 CCD 表面接受到快門開啟，鏡頭進來的光線照射時， 即會將光線的能量轉換成電荷，光線越強、電荷也就越多，這些電荷就成為判斷光線強弱大小的依據。CCD 元件上安排有通道線路，將這些電荷傳輸至放大解碼原件，就能還原 所有CCD上感光元件產生的訊號，並構成了一幅完整的畫面。此一特性，使得 CCD 通用在數位相機〈Digital Camera〉與掃瞄器〈Scanner〉上，作為目前最大宗之感光元件來源。
CMOS光電感測器晶片和CCD一樣都可以用來測量光照強度的變化。CMOS光電感測器晶片與CCD感測器的圖象掃描方法有很大的差別。CMOS感測器的結構不同，在每個單元都有晶體管可將光照轉化來的電子訊號的放大。因此，CMOS感測器可以在每個單元的基礎上進行訊號放大。CMOS光電感測器的耗電量較低，靜態時幾乎沒有電消耗，只在拍照時電路接通才有電消耗。所以CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右。CMOS光電感測器優勝的地方除了省電外就是廉價，而且有關的圖象處理電路可以在同一塊的晶片上製作。CMOS光電感測器的晶片可以附加一些圖象的處理電路例如防手震、局部性放大、圖邊搜索等，而CCD感測器就不可以。CMOS感測器的缺點就是動作比CCD感測器慢及易受附近電路的噪音所困擾。CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而過熱。導至信噪比下降，若暗電流抑制得不好時在相片上會出現雜點。亦因為信噪比低，CMOS光電感測器在光線不足的環境的表現會較CCD感測器為差。
不過全球CCD主要是由Sony、Sharp、Panasonic、Fujifilm等日系廠商生產，目前SONY只係出個一部有CCD感光原件既手機S700i
註:本公子所言非轉 不是轉載, 言出本人
台DOG收皮
